창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SSD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6040SSD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN6040SSD-13DITR DMN6040SSD13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6040SSD-13 | |
| 관련 링크 | DMN6040, DMN6040SSD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TLM2HDR022FTE | RES SMD 0.022 OHM 1% 3/4W 2010 | TLM2HDR022FTE.pdf | |
![]() | 4N29.3S | 4N29.3S FAIRCHILD SMD or Through Hole | 4N29.3S.pdf | |
![]() | S1JKST2-E | S1JKST2-E LI-DE CON0-5VE | S1JKST2-E.pdf | |
![]() | 9301- | 9301- ORIGINAL QFN | 9301-.pdf | |
![]() | MTC500-10 | MTC500-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTC500-10.pdf | |
![]() | RLWC-6SV0(920W01215) | RLWC-6SV0(920W01215) N/A SMD or Through Hole | RLWC-6SV0(920W01215).pdf | |
![]() | UPD6126AG-567-T1 | UPD6126AG-567-T1 NEC SOP | UPD6126AG-567-T1.pdf | |
![]() | EKRG500ELL470MF09D | EKRG500ELL470MF09D NIPPON DIP | EKRG500ELL470MF09D.pdf | |
![]() | Y4C3NPO470PF +-5% 50V | Y4C3NPO470PF +-5% 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | Y4C3NPO470PF +-5% 50V.pdf | |
![]() | AN22001A | AN22001A AN SSOP28 | AN22001A.pdf | |
![]() | CMZ5937BTR13 | CMZ5937BTR13 Centralsemic DO-214AC | CMZ5937BTR13.pdf |