창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SFDE-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN6040SFDE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 4.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 660mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN6040SFDE-7DITR DMN6040SFDE7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN6040SFDE-7 | |
| 관련 링크 | DMN6040, DMN6040SFDE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
|  | 2027-20-C | GDT 200V 15% 10KA THROUGH HOLE | 2027-20-C.pdf | |
|  | USBQ50403CE3/TR7 | TVS DIODE 3.3VWM 11VC | USBQ50403CE3/TR7.pdf | |
| .jpg) | CRGH0805F442K | RES SMD 442K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F442K.pdf | |
|  | 80F15R | RES 15 OHM 10W 1% AXIAL | 80F15R.pdf | |
|  | P51-50-S-F-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-S-F-M12-4.5OVP-000-000.pdf | |
|  | G691L400T71 | G691L400T71 GMT SOT-23 | G691L400T71.pdf | |
|  | 24C1024LEF | 24C1024LEF SAIFUN QFN8 | 24C1024LEF.pdf | |
|  | LAN-C168 | LAN-C168 SMSC SMD or Through Hole | LAN-C168.pdf | |
|  | C0603C511F5GAC | C0603C511F5GAC Kemet SMD | C0603C511F5GAC.pdf | |
|  | VSP2860-30 | VSP2860-30 ITT PLCC | VSP2860-30.pdf | |
|  | CL31C470JJNE | CL31C470JJNE SAMSUNG SMD or Through Hole | CL31C470JJNE.pdf |