창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN6040SFDE-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN6040SFDE | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 4.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1287pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 660mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN6040SFDE-7DITR DMN6040SFDE7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN6040SFDE-7 | |
관련 링크 | DMN6040, DMN6040SFDE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GRM1885C1H1R7CA01D | 1.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H1R7CA01D.pdf | |
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![]() | 57837B462 | 57837B462 PHI SOP-16 | 57837B462.pdf | |
![]() | CS9331J | CS9331J VICOR DIP8 | CS9331J.pdf | |
![]() | R5F212B7SNLG | R5F212B7SNLG RENESAS QFN | R5F212B7SNLG.pdf | |
![]() | AT300A-J | AT300A-J ATMEL SOP20 | AT300A-J.pdf | |
![]() | XC2600E-4FG456C | XC2600E-4FG456C XILINH SMD or Through Hole | XC2600E-4FG456C.pdf | |
![]() | CBA4711814472454K | CBA4711814472454K YAGEO SMD | CBA4711814472454K.pdf |