창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN5L06WK-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN5L06WK | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 50mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN5L06WK7 DMN5L06WKDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN5L06WK-7 | |
관련 링크 | DMN5L0, DMN5L06WK-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | ELJ-RE15NGFA | 15nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 410 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | ELJ-RE15NGFA.pdf | |
![]() | SM2615FT267R | RES SMD 267 OHM 1% 1W 2615 | SM2615FT267R.pdf | |
![]() | CMF601M2100FLR6 | RES 1.21M OHM 1W 1% AXIAL | CMF601M2100FLR6.pdf | |
![]() | BCN318SBI822J7 | BCN318SBI822J7 ORIGINAL SMD or Through Hole | BCN318SBI822J7.pdf | |
![]() | BPC817B/ | BPC817B/ ORIGINAL DIP | BPC817B/.pdf | |
![]() | SABC501G1E24N87C52 | SABC501G1E24N87C52 INF PLCC | SABC501G1E24N87C52.pdf | |
![]() | XC002AA-G | XC002AA-G XICOR QFN | XC002AA-G.pdf | |
![]() | IRFDS6994S | IRFDS6994S IR SMD or Through Hole | IRFDS6994S.pdf | |
![]() | XR16M581IL | XR16M581IL XRT QFN-32P | XR16M581IL.pdf | |
![]() | RTV336ACFW | RTV336ACFW CONFSANT SMD or Through Hole | RTV336ACFW.pdf | |
![]() | 036G | 036G ORIGINAL SOT143 | 036G.pdf | |
![]() | IAN114AU | IAN114AU BB SOP | IAN114AU.pdf |