창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN5L06VK-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN5/L06VK,VAK/010VAK | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 50V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 280mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 50mA @ 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN5L06VK7 DMN5L06VKDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN5L06VK-7 | |
관련 링크 | DMN5L0, DMN5L06VK-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | AFK227M35F24VT-F | SMT-AL(V-CHIP) | AFK227M35F24VT-F.pdf | |
![]() | CGA4J3X8R1C105M125AE | 1µF 16V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.047" W(2.00mm x 1.20mm) | CGA4J3X8R1C105M125AE.pdf | |
![]() | S0603-271NJ3E | 270nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 2.2 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-271NJ3E.pdf | |
![]() | LTV8141-V | LTV8141-V LITE-ON SMD or Through Hole | LTV8141-V.pdf | |
![]() | 2SK3062-ZJ | 2SK3062-ZJ NEC TO-263 | 2SK3062-ZJ.pdf | |
![]() | TM640M | TM640M SANKEN TO-220 | TM640M.pdf | |
![]() | T10C | T10C MNRB MSOP8 | T10C.pdf | |
![]() | G2R-1DC12 | G2R-1DC12 OMRON SMD or Through Hole | G2R-1DC12.pdf | |
![]() | TMOV14R175MP | TMOV14R175MP ORIGINAL SMD or Through Hole | TMOV14R175MP.pdf | |
![]() | F35350-0817 | F35350-0817 XILINX BGA | F35350-0817.pdf | |
![]() | TXD4080 10.00000MHZ | TXD4080 10.00000MHZ RAKON SMD or Through Hole | TXD4080 10.00000MHZ.pdf | |
![]() | HZ6B3TD-EQ | HZ6B3TD-EQ RENESAS DO-35 | HZ6B3TD-EQ.pdf |