Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13
제조업체 부품 번호
DMN4800LSSQ-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMN4800LSSQ-13 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 170.50176
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMN4800LSSQ-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN4800LSSQ-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN4800LSSQ-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMN4800LSSQ-13 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN4800LSSQ-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN4800LSSQ-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN4800LSSQ
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs14m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.6V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.7nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds798pF @ 10V
전력 - 최대1.46W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름DMN4800LSSQ-13DI
DMN4800LSSQ-13DI-ND
DMN4800LSSQ-13DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN4800LSSQ-13
관련 링크DMN4800L, DMN4800LSSQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN4800LSSQ-13 의 관련 제품
10C3 822G DALE ZIP10 10C3 822G.pdf
LTC1574CS-33 LT SMD or Through Hole LTC1574CS-33.pdf
LM258-1.2 NS DIP8 LM258-1.2.pdf
47PF22R ORIGINAL SMD or Through Hole 47PF22R.pdf
LM125H/883QS NS CAN LM125H/883QS.pdf
HA17524FP-EL HIT SOP HA17524FP-EL.pdf
UMY4NTR ROHM SOT23-5 UMY4NTR.pdf
CD5447F3A TI/HAR SMD or Through Hole CD5447F3A.pdf
MAX8690X MAXIM QFN MAX8690X.pdf
ONSESD9L5.0ST5G ORIGINAL SMD or Through Hole ONSESD9L5.0ST5G.pdf
SY58025UMGTR MICREL ORIGINAL SY58025UMGTR.pdf