창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN4800LSSL-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN4800LSSL | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 798pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.46W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN4800LSSL-13DITR DMN4800LSSL13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN4800LSSL-13 | |
관련 링크 | DMN4800L, DMN4800LSSL-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B43510A9228M87 | 2200µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 4 Lead 60 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | B43510A9228M87.pdf | |
![]() | CC0603BRNPO9BN2R7 | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603BRNPO9BN2R7.pdf | |
![]() | NZX18C,133 | DIODE ZENER 18V 500MW ALF2 | NZX18C,133.pdf | |
![]() | SM6227FT1R40 | RES SMD 1.4 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT1R40.pdf | |
![]() | CR73-1.8 | CR73-1.8 CR SMD or Through Hole | CR73-1.8.pdf | |
![]() | FP1F3P-T1B/JM | FP1F3P-T1B/JM NEC SOT23 | FP1F3P-T1B/JM.pdf | |
![]() | HY839S16160AT-10 | HY839S16160AT-10 ORIGINAL SMD50 | HY839S16160AT-10.pdf | |
![]() | AM37710EFBFP | AM37710EFBFP AMD QFP100 | AM37710EFBFP.pdf | |
![]() | SSP21110-611 | SSP21110-611 DDC PCDIP10 | SSP21110-611.pdf | |
![]() | CXD8058Q | CXD8058Q SONY QFP | CXD8058Q.pdf | |
![]() | MRF848 | MRF848 MOTOROLA SMD or Through Hole | MRF848.pdf | |
![]() | TDA9800TV3 | TDA9800TV3 PHLP SMD or Through Hole | TDA9800TV3.pdf |