창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN4034SSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN4034SSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1467 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 453pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN4034SSS-13TR DMN4034SSS13 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN4034SSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN4034, DMN4034SSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | MCM01-001D200J-F | 20pF Polytetrafluoroethylene (PTFE) Capacitor 500V Nonstandard SMD 0.460" L x 0.400" W (11.68mm x 10.16mm) | MCM01-001D200J-F.pdf | |
![]() | 2036-23-B2LF | GDT 230V 20% 10KA THROUGH HOLE | 2036-23-B2LF.pdf | |
![]() | RT0603DRE0726K4L | RES SMD 26.4K OHM 1/10W 0603 | RT0603DRE0726K4L.pdf | |
![]() | AA1206FR-0739RL | RES SMD 39 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0739RL.pdf | |
![]() | TH05-4K474HKT | TH05-4K474HKT MITSUBISHI SMD | TH05-4K474HKT.pdf | |
![]() | SB4011NOH-RO | SB4011NOH-RO NKKSWITCHES SBSeriesSPSTOFF | SB4011NOH-RO.pdf | |
![]() | DVC5409GGU80 | DVC5409GGU80 TMS BGA | DVC5409GGU80.pdf | |
![]() | DS2064A | DS2064A DALLAS DIP | DS2064A.pdf | |
![]() | F309.65 | F309.65 ORIGINAL SMD or Through Hole | F309.65.pdf | |
![]() | K5U64418TM | K5U64418TM SAMSUNG BGA | K5U64418TM.pdf | |
![]() | ZXMD65P02N8TA | ZXMD65P02N8TA ZETEX SMD | ZXMD65P02N8TA.pdf |