창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN4008LFG-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN4008LFG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3537pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN4008LFG-13 | |
| 관련 링크 | DMN4008, DMN4008LFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C317C390J2G5TA | 39pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.120" W(3.81mm x 3.05mm) | C317C390J2G5TA.pdf | |
![]() | 445W31G30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 30pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31G30M00000.pdf | |
![]() | SBR40U100CTE | DIODE ARRAY SBR 100V 20A TO262 | SBR40U100CTE.pdf | |
![]() | IRF2903ZPBF | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB | IRF2903ZPBF.pdf | |
![]() | CMF551K8700FHEB | RES 1.87K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K8700FHEB.pdf | |
![]() | CP0022620R0JB143 | RES 620 OHM 22W 5% AXIAL | CP0022620R0JB143.pdf | |
![]() | ST49C101ACF8-03 | ST49C101ACF8-03 EXAR SOP-8 | ST49C101ACF8-03.pdf | |
![]() | 583HRD-3 | 583HRD-3 SuperBright 2010 | 583HRD-3.pdf | |
![]() | SBT1060 | SBT1060 DTC SMD or Through Hole | SBT1060.pdf | |
![]() | AS7660P | AS7660P ALPHA DIP-8 | AS7660P.pdf | |
![]() | SST27VF010-70-3C-NHE | SST27VF010-70-3C-NHE SST PLCC | SST27VF010-70-3C-NHE.pdf | |
![]() | NCL30100ASLDGEVB | NCL30100ASLDGEVB ONS SMD or Through Hole | NCL30100ASLDGEVB.pdf |