창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3900UFA-7B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3900UFA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 550mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 760m옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 950mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 42.2pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-X2-DFN0806 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN3900UFA-7BTR DMN3900UFA7B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3900UFA-7B | |
관련 링크 | DMN3900, DMN3900UFA-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 9C18400003 | 18.432MHz ±30ppm 수정 27pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C18400003.pdf | |
![]() | IRF6713STRPBF | MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ | IRF6713STRPBF.pdf | |
![]() | U2Y003H | AC/DC CONVERTER 12V 300W | U2Y003H.pdf | |
![]() | ACT6907UC250-T | ACT6907UC250-T ACT SOT23-5 | ACT6907UC250-T.pdf | |
![]() | SPI-235-19.624EA.70R | SPI-235-19.624EA.70R SANYO PHOTOINTER | SPI-235-19.624EA.70R.pdf | |
![]() | 2A301 | 2A301 BB SMD or Through Hole | 2A301.pdf | |
![]() | NAG133SP-A | NAG133SP-A STANLEY ROHS | NAG133SP-A.pdf | |
![]() | APM3055PUC-TR | APM3055PUC-TR ORIGINAL TO-252 | APM3055PUC-TR.pdf | |
![]() | RU82566MM SL984 | RU82566MM SL984 INTEL FCBGA | RU82566MM SL984.pdf | |
![]() | UPD359C | UPD359C NEC DIP42 | UPD359C.pdf | |
![]() | D4F-420-1D | D4F-420-1D OMRON SMD or Through Hole | D4F-420-1D.pdf | |
![]() | TDA9952H | TDA9952H PHILIPS BGA48 | TDA9952H.pdf |