창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3300U-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3300U | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 193pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3300U-7 | |
| 관련 링크 | DMN330, DMN3300U-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | R76PN3100SE30K | 0.1µF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.236" W (26.50mm x 6.00mm) | R76PN3100SE30K.pdf | |
![]() | CRCW12185K76FKEK | RES SMD 5.76K OHM 1% 1W 1218 | CRCW12185K76FKEK.pdf | |
![]() | 3306F-1-502LF | 3306F-1-502LF BOURNS DIP | 3306F-1-502LF.pdf | |
![]() | B39181B7107F810 | B39181B7107F810 EPCOS SMD | B39181B7107F810.pdf | |
![]() | LE580L061VC | LE580L061VC LEG PQFP | LE580L061VC.pdf | |
![]() | K9F4008W0A-TCB | K9F4008W0A-TCB SAMSUNG QFP | K9F4008W0A-TCB.pdf | |
![]() | HI-8586-PSI | HI-8586-PSI HOLTIC SOP8 | HI-8586-PSI.pdf | |
![]() | TA7643IS | TA7643IS ORIGINAL TO92L | TA7643IS.pdf | |
![]() | GF11517 | GF11517 ORIGINAL SMD or Through Hole | GF11517.pdf | |
![]() | HYM485CPA | HYM485CPA HYM DIP8 | HYM485CPA.pdf | |
![]() | IORF7105 | IORF7105 ORIGINAL SOP8 | IORF7105.pdf | |
![]() | PIR D203B | PIR D203B PIR DIP-3 | PIR D203B.pdf |