창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN32D2LFB4-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN32D2LFB4 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 100mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 39pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 350mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | X2-DFN1006-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN32D2LFB47 DMN32D2LFB4DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN32D2LFB4-7 | |
관련 링크 | DMN32D2, DMN32D2LFB4-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | P6SMB180CA-E3/5B | TVS DIODE 154VWM 246VC SMB | P6SMB180CA-E3/5B.pdf | |
![]() | RCP1206W1K50GEB | RES SMD 1.5K OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W1K50GEB.pdf | |
![]() | CMF5585K600BHEK | RES 85.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5585K600BHEK.pdf | |
![]() | 579649702 | 579649702 Molex SMD or Through Hole | 579649702.pdf | |
![]() | E2K110BJ104KB-T | E2K110BJ104KB-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | E2K110BJ104KB-T.pdf | |
![]() | YC2059-2 0.96v 118mA | YC2059-2 0.96v 118mA YC 20X59 | YC2059-2 0.96v 118mA.pdf | |
![]() | LP62S16256EV-70LLTE | LP62S16256EV-70LLTE AMIC TSSOP | LP62S16256EV-70LLTE.pdf | |
![]() | MRCTS1220600 | MRCTS1220600 ST SMD or Through Hole | MRCTS1220600.pdf | |
![]() | KSR221GLFS | KSR221GLFS CK NA | KSR221GLFS.pdf | |
![]() | 7MBI25NE120-01 | 7MBI25NE120-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 7MBI25NE120-01.pdf | |
![]() | K5J6332CTM | K5J6332CTM SAMSUNG BGA | K5J6332CTM.pdf |