창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN31D5UFZ-7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN31D5UFZ | |
| 주요제품 | DFN0606 Mini MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 220mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 100mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.35nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22.2pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 393mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | X2-DFN0606-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | DMN31D5UFZ-7BDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN31D5UFZ-7B | |
| 관련 링크 | DMN31D5, DMN31D5UFZ-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW06031K20BEEA | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06031K20BEEA.pdf | |
![]() | ERO-S2PHF1300 | RES 130 OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF1300.pdf | |
![]() | E3H2-DS30B4M-M1 | SENS PROX M12 100MM PNP | E3H2-DS30B4M-M1.pdf | |
![]() | 17751N | 17751N ORIGINAL NEW | 17751N.pdf | |
![]() | S9782 | S9782 TOSHIBA TO-6P | S9782.pdf | |
![]() | 16LF76-I/SO | 16LF76-I/SO ALTERA SMD or Through Hole | 16LF76-I/SO.pdf | |
![]() | PIC24HJ128GP210-I/P | PIC24HJ128GP210-I/P MICROCHI QFP | PIC24HJ128GP210-I/P.pdf | |
![]() | SG2E686M16025PA180 | SG2E686M16025PA180 SAMWHA SMD or Through Hole | SG2E686M16025PA180.pdf | |
![]() | STV30R80 | STV30R80 ORIGINAL QFP | STV30R80.pdf | |
![]() | GU2N60 | GU2N60 GS SMD or Through Hole | GU2N60.pdf | |
![]() | HSMP-2820 | HSMP-2820 HEW-PAC SMD | HSMP-2820.pdf | |
![]() | GRM21BF51C4 | GRM21BF51C4 MURATA SMD or Through Hole | GRM21BF51C4.pdf |