창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3150L-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3150L | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 28V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN3150L7 DMN3150LDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3150L-7 | |
| 관련 링크 | DMN315, DMN3150L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | S130V26 | S130V26 SEIKO SOP8 | S130V26.pdf | |
![]() | SMN10T80FD | SMN10T80FD AUK TO-220F | SMN10T80FD.pdf | |
![]() | ES25P16-75IG2Y | ES25P16-75IG2Y EXCELSEMI SOP8 | ES25P16-75IG2Y.pdf | |
![]() | MSP5651M-QK-C3/MSP5651M C3 | MSP5651M-QK-C3/MSP5651M C3 MICRONAS PMQFP-128P | MSP5651M-QK-C3/MSP5651M C3.pdf | |
![]() | BCR20PM | BCR20PM ORIGINAL TO-220.. | BCR20PM.pdf | |
![]() | CLC5955MTDX | CLC5955MTDX NS TSSOP | CLC5955MTDX.pdf | |
![]() | NRGB101M35V8X11.5F | NRGB101M35V8X11.5F NIP SMD or Through Hole | NRGB101M35V8X11.5F.pdf |