창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3150L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3150L | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Green Encapsulate 15/May/2008 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 28V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3150L7 DMN3150LDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3150L-7 | |
관련 링크 | DMN315, DMN3150L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CGA5H4C0G2J152J115AA | 1500pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5H4C0G2J152J115AA.pdf | |
![]() | ESR18EZPF5602 | RES SMD 56K OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF5602.pdf | |
![]() | PLT0603Z2432LBTS | RES SMD 24.3K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z2432LBTS.pdf | |
![]() | 94230EF | 94230EF ICS SSOP-48 | 94230EF.pdf | |
![]() | SC16IS762IP | SC16IS762IP NXP SMD or Through Hole | SC16IS762IP.pdf | |
![]() | GC7555AP | GC7555AP GC SOP8 | GC7555AP.pdf | |
![]() | PT3 | PT3 ORIGINAL SOT23 | PT3.pdf | |
![]() | M57182N-415 | M57182N-415 MITSUBISHI SMD or Through Hole | M57182N-415.pdf | |
![]() | PT2314 | PT2314 PTC SOP | PT2314.pdf | |
![]() | SN74AHCT244DW | SN74AHCT244DW TI SOP | SN74AHCT244DW.pdf | |
![]() | K9F2G16UOM-PCBO | K9F2G16UOM-PCBO SAM TSOP | K9F2G16UOM-PCBO.pdf | |
![]() | LAA120LE | LAA120LE IXYS SMD or Through Hole | LAA120LE.pdf |