창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3150L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3150L | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 23/May/2008 Green Encapsulate 15/May/2008 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 28V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 3.6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3150L7 DMN3150LDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3150L-7 | |
관련 링크 | DMN315, DMN3150L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RT0805CRE0761K9L | RES SMD 61.9KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0761K9L.pdf | |
![]() | PHP00805E2231BST1 | RES SMD 2.23K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2231BST1.pdf | |
![]() | TEH100M3R00JE | RES 3 OHM 100W 5% TO247 | TEH100M3R00JE.pdf | |
![]() | 1N5342A | 1N5342A EIC D2A | 1N5342A.pdf | |
![]() | 2SC4531 | 2SC4531 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC4531.pdf | |
![]() | MAX3781UCM+D | MAX3781UCM+D MAXIM QFP | MAX3781UCM+D.pdf | |
![]() | BQ2058-C.R | BQ2058-C.R BQ SOP-16 | BQ2058-C.R.pdf | |
![]() | A15QS150-4 | A15QS150-4 Ferraz SMD or Through Hole | A15QS150-4.pdf | |
![]() | GS73024B-10 | GS73024B-10 GSI BGA | GS73024B-10.pdf | |
![]() | 01-015-03 | 01-015-03 NEC BGA | 01-015-03.pdf | |
![]() | XCV100E-4FG256C | XCV100E-4FG256C XILINX SMD or Through Hole | XCV100E-4FG256C.pdf |