창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN313DLT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN313DLT | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 270mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 10mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 36.3pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 280mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-523 | |
공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN313DLT-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN313DLT-7 | |
관련 링크 | DMN313, DMN313DLT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 08A38206 | 08A38206 BOURNS SIP-8 | 08A38206.pdf | |
![]() | LH28F008BVHB-BT90 | LH28F008BVHB-BT90 ORIGINAL SMD | LH28F008BVHB-BT90.pdf | |
![]() | G3MB-202P-DC24V | G3MB-202P-DC24V OMRON SMD or Through Hole | G3MB-202P-DC24V.pdf | |
![]() | CEB6035L | CEB6035L CET TO-263 | CEB6035L.pdf | |
![]() | MC3476AP | MC3476AP MOT SMD or Through Hole | MC3476AP.pdf | |
![]() | MC56166FE60 | MC56166FE60 MOTOROLA QFP | MC56166FE60.pdf | |
![]() | UPR2D1R0MEH | UPR2D1R0MEH NICHICON SMD or Through Hole | UPR2D1R0MEH.pdf | |
![]() | 05713R888880066CXXX | 05713R888880066CXXX RENA Circular9WarmWhi | 05713R888880066CXXX.pdf | |
![]() | J411D-26P | J411D-26P TELEDYNE SMD or Through Hole | J411D-26P.pdf | |
![]() | 216D6TGCFA22E-(M6-D) | 216D6TGCFA22E-(M6-D) ORIGINAL BGA | 216D6TGCFA22E-(M6-D).pdf | |
![]() | BAV70B. | BAV70B. NXP SOD123 | BAV70B..pdf |