창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3115UDM-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3115UDM | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 3/May/2011 Leadframe Material Update 09/Apr/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 476pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3115UDM7 DMN3115UDMDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3115UDM-7 | |
관련 링크 | DMN3115, DMN3115UDM-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RTSI | RTSI NATIONAL SOP28 | RTSI.pdf | |
![]() | GCB2012V-301T07 | GCB2012V-301T07 WALSIN SMD or Through Hole | GCB2012V-301T07.pdf | |
![]() | AVR14A2C270MT150N | AVR14A2C270MT150N ORIGINAL SMD or Through Hole | AVR14A2C270MT150N.pdf | |
![]() | 422A607LF | 422A607LF ICS TSSOP24 | 422A607LF.pdf | |
![]() | SD-100B-5SH | SD-100B-5SH MWL SMD or Through Hole | SD-100B-5SH.pdf | |
![]() | DF2134AVFA10V | DF2134AVFA10V RENESAS SMD or Through Hole | DF2134AVFA10V.pdf | |
![]() | S/F RES 9MM VRT 10KR | S/F RES 9MM VRT 10KR HDK SIP | S/F RES 9MM VRT 10KR.pdf | |
![]() | LS4D28-5R6-RN | LS4D28-5R6-RN ICE NA | LS4D28-5R6-RN.pdf | |
![]() | 1N4691B | 1N4691B MOT DO-35 | 1N4691B.pdf |