창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3110S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3110S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 73m옴 @ 3.1mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 305.8pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3110S-7DITR DMN3110S7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3110S-7 | |
관련 링크 | DMN311, DMN3110S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
ASTX-H11-5.000MHZ-T | 5MHz HCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 4mA Enable/Disable | ASTX-H11-5.000MHZ-T.pdf | ||
![]() | XC1702 | XC1702 XILINX PLCC44 | XC1702.pdf | |
![]() | MAX6413UK29-T | MAX6413UK29-T MAXIM SOT23-5 | MAX6413UK29-T.pdf | |
![]() | TLP747J(F) | TLP747J(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP747J(F).pdf | |
![]() | c1206c475k3pac7 | c1206c475k3pac7 kemet SMD or Through Hole | c1206c475k3pac7.pdf | |
![]() | LT1481CS8 | LT1481CS8 LT SMD or Through Hole | LT1481CS8.pdf | |
![]() | 432028818 | 432028818 MOLEX SMD or Through Hole | 432028818.pdf | |
![]() | IP3253CZ16-8-TTL | IP3253CZ16-8-TTL NXP SMD or Through Hole | IP3253CZ16-8-TTL.pdf | |
![]() | RLR05C1802GRB14 | RLR05C1802GRB14 VISHAY SMD or Through Hole | RLR05C1802GRB14.pdf | |
![]() | LVS201610-3R3T-N | LVS201610-3R3T-N CHILISIN NA | LVS201610-3R3T-N.pdf | |
![]() | MAX392ESE | MAX392ESE MAXIM SOP16 | MAX392ESE.pdf | |
![]() | MCP41050-I/SN4AP | MCP41050-I/SN4AP MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP41050-I/SN4AP.pdf |