창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3070SSN-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3070SSN | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 4.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 697pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 780mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-59 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN3070SSN-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3070SSN-7 | |
| 관련 링크 | DMN3070, DMN3070SSN-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-250-10-36Q-JEN-TR | 25MHz ±20ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-250-10-36Q-JEN-TR.pdf | |
![]() | TA2K0PH10R0KE | RES CHAS MNT 10 OHM 10% 2000W | TA2K0PH10R0KE.pdf | |
![]() | RR1220P-1180-D-M | RES SMD 118 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-1180-D-M.pdf | |
![]() | MTC20285-PQI | MTC20285-PQI AMI SMD or Through Hole | MTC20285-PQI.pdf | |
![]() | LM307H/883 | LM307H/883 NS CAN-8 | LM307H/883.pdf | |
![]() | MSC12966 | MSC12966 MSC TSSOP-16 | MSC12966.pdf | |
![]() | 2405MHZ | 2405MHZ JRC QFN | 2405MHZ.pdf | |
![]() | 23055904 | 23055904 ORIGINAL 8P | 23055904.pdf | |
![]() | UB225SKG036CF-4J04 | UB225SKG036CF-4J04 NKK SMD or Through Hole | UB225SKG036CF-4J04.pdf | |
![]() | ONSMISC | ONSMISC CY SMD or Through Hole | ONSMISC.pdf | |
![]() | PNX8316HS/C102/01 | PNX8316HS/C102/01 PNX SMD or Through Hole | PNX8316HS/C102/01.pdf | |
![]() | GCA300AA60 | GCA300AA60 SANREX SMD or Through Hole | GCA300AA60.pdf |