Diodes Incorporated DMN3051LDM-7

DMN3051LDM-7
제조업체 부품 번호
DMN3051LDM-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 4A SOT26
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMN3051LDM-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 133.43616
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMN3051LDM-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN3051LDM-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN3051LDM-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMN3051LDM-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN3051LDM-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN3051LDM-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN3051LDM
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Leadframe Material Update 09/Apr/2014
PCN 조립/원산지Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs38m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.6nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds424pF @ 5V
전력 - 최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-23-6
공급 장치 패키지SOT-26
표준 포장 3,000
다른 이름DMN3051LDM-7DI
DMN3051LDM-7DI-ND
DMN3051LDM-7DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN3051LDM-7
관련 링크DMN3051, DMN3051LDM-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN3051LDM-7 의 관련 제품
CY2LL842SI CYPRESS SSOP CY2LL842SI.pdf
27.493MHZ EPSON SMD or Through Hole 27.493MHZ.pdf
54LS42FMQB NSC Call 54LS42FMQB.pdf
TXC06742AISB TRANSWITCH SMD or Through Hole TXC06742AISB.pdf
XC3500P-03S-R Anaren ROHS XC3500P-03S-R.pdf
TLP141G(TPR.U.F) JAPAN SOP-5 TLP141G(TPR.U.F).pdf
2N675A MOTOROLA CAN3 2N675A.pdf
D7063L NEC DIP SOP D7063L.pdf
V7311-K1-D14-18527 SCS DIP40 V7311-K1-D14-18527.pdf
HUFA76413DK8T_B76001A FSC SMD or Through Hole HUFA76413DK8T_B76001A.pdf
UN101 PAN SMD or Through Hole UN101.pdf
PE5531A PIONEER TQFP144 PE5531A.pdf