창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3033LSNQ-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3033LSNQ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SC-59 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3033LSNQ-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3033LSNQ-7 | |
관련 링크 | DMN3033, DMN3033LSNQ-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | B43508A9127M80 | 120µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.02 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508A9127M80.pdf | |
![]() | 445W3XL16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XL16M00000.pdf | |
CMR1F-06M TR13 | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | CMR1F-06M TR13.pdf | ||
![]() | YC324-FK-0730K1L | RES ARRAY 4 RES 30.1K OHM 2012 | YC324-FK-0730K1L.pdf | |
![]() | 6407278 | 6407278 IBM DIP16 | 6407278.pdf | |
![]() | HSP43168JC-33. | HSP43168JC-33. HARRIS PLCC84 | HSP43168JC-33..pdf | |
![]() | V215AZ | V215AZ NAIS SOP-6(2A692) | V215AZ.pdf | |
![]() | TDA4665/V5.112 | TDA4665/V5.112 NXP/PH SMD or Through Hole | TDA4665/V5.112.pdf | |
![]() | TC74HC02F | TC74HC02F TOSHIBA SOP | TC74HC02F.pdf | |
![]() | HPFC5200C-2.2 | HPFC5200C-2.2 Agilent PBGA3535 | HPFC5200C-2.2.pdf | |
![]() | MAX8576EUB+TG51 | MAX8576EUB+TG51 MAXIM-PBF MSOP10 | MAX8576EUB+TG51.pdf | |
![]() | G6D-1A-ASI DC12 BY OMB | G6D-1A-ASI DC12 BY OMB OMRON SMD or Through Hole | G6D-1A-ASI DC12 BY OMB.pdf |