창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3033LSDQ-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3033LSDQ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 6.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 725pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN3033LSDQ-13DI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3033LSDQ-13 | |
관련 링크 | DMN3033L, DMN3033LSDQ-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D390MLAAP | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D390MLAAP.pdf | |
STD03P | TRANS PNP DARL 160V 15A TO-3P-5 | STD03P.pdf | ||
![]() | ECS25US12 | AC/DC CONVERTER 12V 25W | ECS25US12.pdf | |
![]() | RM8/I-3C81-E100 | RM8/I-3C81-E100 FERROX SMD or Through Hole | RM8/I-3C81-E100.pdf | |
![]() | R02D | R02D ORIGINAL SOT153 | R02D.pdf | |
![]() | kfg4gh6q4m-deb6 | kfg4gh6q4m-deb6 SAMSUNG BGA | kfg4gh6q4m-deb6.pdf | |
![]() | SG2W105M0811M | SG2W105M0811M SAMWH DIP | SG2W105M0811M.pdf | |
![]() | M291G | M291G ORIGINAL SOP-8 | M291G.pdf | |
![]() | 140524601 | 140524601 MALUGO SMD or Through Hole | 140524601.pdf | |
![]() | XA1782B | XA1782B ORIGINAL SMD or Through Hole | XA1782B.pdf | |
![]() | BZX384-C6V8 (6.8V) | BZX384-C6V8 (6.8V) NXP SOD-323 | BZX384-C6V8 (6.8V).pdf | |
![]() | KA2195DTF | KA2195DTF Samsung SMD or Through Hole | KA2195DTF.pdf |