창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3032LFDBQ-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3032LFDBQ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 500pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3032LFDBQ-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3032LFDBQ-7 | |
관련 링크 | DMN3032L, DMN3032LFDBQ-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT3807AC-C2-25EH-25.000000T | OSC XO 2.5V 25MHZ OE | SIT3807AC-C2-25EH-25.000000T.pdf | |
![]() | ERJ-8BQJ2R7V | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/2W 1206 | ERJ-8BQJ2R7V.pdf | |
![]() | CRCW251218R2FKEHHP | RES SMD 18.2 OHM 1% 1.5W 2512 | CRCW251218R2FKEHHP.pdf | |
![]() | RT0805WRC074K53L | RES SMD 4.53KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC074K53L.pdf | |
![]() | 0402 82NH K | 0402 82NH K TASUND SMD or Through Hole | 0402 82NH K.pdf | |
![]() | M50433B-230SP | M50433B-230SP MIT DIP | M50433B-230SP.pdf | |
![]() | SM14CXC400 | SM14CXC400 WESTCODE MODULE | SM14CXC400.pdf | |
![]() | TC2003IPWR | TC2003IPWR ORIGINAL SMD or Through Hole | TC2003IPWR.pdf | |
![]() | br-4.3 | br-4.3 kbe SMD or Through Hole | br-4.3.pdf | |
![]() | 815.5MHZ/860.5MHZ | 815.5MHZ/860.5MHZ MUTATA 3.0x3.03.8x3.8 | 815.5MHZ/860.5MHZ.pdf | |
![]() | K9WAG08U1D-SCB0T00 | K9WAG08U1D-SCB0T00 Samsung SMD or Through Hole | K9WAG08U1D-SCB0T00.pdf |