창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3030LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3030LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 741pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3030LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN3030, DMN3030LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9001AI-13-33E1-50.0000Y | OSC XO 3.3V 50MHZ OE 1.0% | SIT9001AI-13-33E1-50.0000Y.pdf | |
![]() | Y16254K99000B0W | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y16254K99000B0W.pdf | |
![]() | H812R7DYA | RES 12.7 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | H812R7DYA.pdf | |
![]() | PJ-012B | PJ-012B CUIInc SMD or Through Hole | PJ-012B.pdf | |
![]() | TCM1005-900-2P | TCM1005-900-2P TDK SMD or Through Hole | TCM1005-900-2P.pdf | |
![]() | N2TU25H16CG-25C | N2TU25H16CG-25C ELIXIER SMD or Through Hole | N2TU25H16CG-25C.pdf | |
![]() | DF17(2.0)-20DP-0.5V(57) | DF17(2.0)-20DP-0.5V(57) HRS SMD or Through Hole | DF17(2.0)-20DP-0.5V(57).pdf | |
![]() | MAX1976AEZT120 | MAX1976AEZT120 MaximIntegratedProducts Reel | MAX1976AEZT120.pdf | |
![]() | TC3162L2-H | TC3162L2-H ORIGINAL QFP | TC3162L2-H.pdf | |
![]() | TC7MP3125FK(SPL) | TC7MP3125FK(SPL) TOSHIBA STOCK | TC7MP3125FK(SPL).pdf | |
![]() | 23N60ES | 23N60ES FUJI TO-3P | 23N60ES.pdf | |
![]() | HEF4585BPN | HEF4585BPN NXP DIP | HEF4585BPN.pdf |