창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3030LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3030LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 741pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3030LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN3030, DMN3030LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-3EKF2402V | RES SMD 24K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF2402V.pdf | |
![]() | IRG4RC10U91572 | IRG4RC10U91572 IR SOT252 | IRG4RC10U91572.pdf | |
![]() | TLZ39G-GS08 39V | TLZ39G-GS08 39V VISHAY LL34 | TLZ39G-GS08 39V.pdf | |
![]() | 34.8K | 34.8K ORIGINAL 1206 | 34.8K.pdf | |
![]() | 2SC2259 | 2SC2259 ORIGINAL TO-92 5 | 2SC2259.pdf | |
![]() | B63557 1C | B63557 1C ATTANSIC TQFP48 | B63557 1C.pdf | |
![]() | SML-LXFM0603SUGCTR | SML-LXFM0603SUGCTR LUM SMD or Through Hole | SML-LXFM0603SUGCTR.pdf | |
![]() | V0.31 | V0.31 NEC QFP-44 | V0.31.pdf | |
![]() | ST9300653SS | ST9300653SS SEAGATE SMD or Through Hole | ST9300653SS.pdf | |
![]() | 7U2E364J | 7U2E364J TAITSU SMD or Through Hole | 7U2E364J.pdf | |
![]() | 54D2VDT | 54D2VDT TI SMD or Through Hole | 54D2VDT.pdf | |
![]() | FSRC192060RTB00T | FSRC192060RTB00T MU SMD or Through Hole | FSRC192060RTB00T.pdf |