창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3024SFG-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3024SFG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 478.9pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | DMN3024SFG-7DITR DMN3024SFG7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3024SFG-7 | |
| 관련 링크 | DMN3024, DMN3024SFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | NOJC686M002SWJ | 68µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 500 mOhm ESR | NOJC686M002SWJ.pdf | |
![]() | 416F48035AAR | 48MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48035AAR.pdf | |
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![]() | MC33363BP | MC33363BP MOT DIP | MC33363BP.pdf | |
![]() | SSM1448437E30F5FZ800 | SSM1448437E30F5FZ800 N/A SMD or Through Hole | SSM1448437E30F5FZ800.pdf | |
![]() | LVTH18504A | LVTH18504A TI TQFP64 | LVTH18504A.pdf | |
![]() | 2222-048-95902 | 2222-048-95902 VISHAY SMD | 2222-048-95902.pdf | |
![]() | GA100TS60SQ | GA100TS60SQ IR SMD or Through Hole | GA100TS60SQ.pdf | |
![]() | HD64F3039TEBL18V | HD64F3039TEBL18V RENESAS QFP | HD64F3039TEBL18V.pdf | |
![]() | SM5Z150A | SM5Z150A Tho SMC | SM5Z150A.pdf |