창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3024LK3-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3024LK3 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.78A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 608pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.17W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN3024LK3-13DITR DMN3024LK313 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3024LK3-13 | |
| 관련 링크 | DMN3024, DMN3024LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | 5KP58AHE3/54 | TVS DIODE 58VWM 94VC P600 | 5KP58AHE3/54.pdf | |
![]() | ASTX-H12-20.000MHZ-T | 20MHz HCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 4.8mA Enable/Disable | ASTX-H12-20.000MHZ-T.pdf | |
![]() | RG2012P-3011-B-T5 | RES SMD 3.01K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-3011-B-T5.pdf | |
![]() | CPL03R0100JE313 | RES 0.01 OHM 3W 5% AXIAL | CPL03R0100JE313.pdf | |
![]() | PPG501B1 | PLATINUM RTD 500 OHM +/-0.12% | PPG501B1.pdf | |
![]() | BDX54CYU | BDX54CYU F/C SMD or Through Hole | BDX54CYU.pdf | |
![]() | CECBX1C220M0505RG | CECBX1C220M0505RG SAMSUNG SMD or Through Hole | CECBX1C220M0505RG.pdf | |
![]() | MING 1MX1 | MING 1MX1 ORIGINAL DIP18 | MING 1MX1.pdf | |
![]() | SMS1526-30 | SMS1526-30 MICROSEMI SMD or Through Hole | SMS1526-30.pdf | |
![]() | STP15NB25 | STP15NB25 ST TO-220 | STP15NB25.pdf |