창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3018SFG-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3018FG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 697pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3018SFG-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3018SFG-13 | |
관련 링크 | DMN3018, DMN3018SFG-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | UVZ2V221MRD | 220µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2V221MRD.pdf | |
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![]() | 1808AA470JAT1A | 47pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA470JAT1A.pdf | |
![]() | VS-20BQ030HM3/5BT | DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA | VS-20BQ030HM3/5BT.pdf | |
![]() | TC41T | TC41T MAC SMD or Through Hole | TC41T.pdf | |
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![]() | RC2512JR-071K2L 2512 1.2K | RC2512JR-071K2L 2512 1.2K ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2512JR-071K2L 2512 1.2K.pdf | |
![]() | LP8340CDT-3.3/NOPB | LP8340CDT-3.3/NOPB NATIONALSEMICONDUCTOR ORIGINAL | LP8340CDT-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | RL030AB16 | RL030AB16 JHN SMD or Through Hole | RL030AB16.pdf | |
![]() | 35ZLH470MEFC 10X16 | 35ZLH470MEFC 10X16 RUBYCON SMD or Through Hole | 35ZLH470MEFC 10X16.pdf | |
![]() | BD82IBXM OMSSES | BD82IBXM OMSSES INTEL SMD or Through Hole | BD82IBXM OMSSES.pdf | |
![]() | SCD0501T-500M-N | SCD0501T-500M-N NULL SMD or Through Hole | SCD0501T-500M-N.pdf |