창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3016LSS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3016LSS | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN3016LSS-13DI DMN3016LSS-13DI-ND DMN3016LSS-13DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3016LSS-13 | |
관련 링크 | DMN3016, DMN3016LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
UKW1V330MDD1TD | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UKW1V330MDD1TD.pdf | ||
![]() | SMA5J7.0AHE3/5A | TVS DIODE 7VWM 12VC SMA | SMA5J7.0AHE3/5A.pdf | |
![]() | SD12-330-R | 33µH Shielded Wirewound Inductor 519mA 928.9 mOhm Nonstandard | SD12-330-R.pdf | |
![]() | Y1365V0175BT9W | RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC | Y1365V0175BT9W.pdf | |
![]() | 51710-028LF | 51710-028LF BERG SMD or Through Hole | 51710-028LF.pdf | |
![]() | 50v220uf | 50v220uf ORIGINAL DIP-2 | 50v220uf.pdf | |
![]() | DTB133HK T146 | DTB133HK T146 ROHM SOT-23 | DTB133HK T146.pdf | |
![]() | RYTR121406/A | RYTR121406/A AMS PDIP24L | RYTR121406/A.pdf | |
![]() | PMLL4148L115 | PMLL4148L115 NXP SMD or Through Hole | PMLL4148L115.pdf | |
![]() | TC55VEM216AGXN40 | TC55VEM216AGXN40 TOSH SMD or Through Hole | TC55VEM216AGXN40.pdf | |
![]() | 2116-632-AL-7 | 2116-632-AL-7 ORIGINAL NEW | 2116-632-AL-7.pdf | |
![]() | RF6560/61 | RF6560/61 RFMD SMD or Through Hole | RF6560/61.pdf |