창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN3016LDN-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN3016LDN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | V-DFN3030-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN3016LDN-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN3016LDN-7 | |
관련 링크 | DMN3016, DMN3016LDN-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GC2000039 | 20MHz ±30ppm 수정 16pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GC2000039.pdf | |
![]() | 445I23L24M00000 | 24MHz ±20ppm 수정 12pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23L24M00000.pdf | |
![]() | NBQ160808T-102Y-N | NBQ160808T-102Y-N Chilisin 1608 | NBQ160808T-102Y-N.pdf | |
![]() | MURF1680CT | MURF1680CT ORIGINAL TO-220 | MURF1680CT.pdf | |
![]() | XCF08PVO48C kemota | XCF08PVO48C kemota XILINX 48TSOP | XCF08PVO48C kemota.pdf | |
![]() | RB520S-30 JFTE61 | RB520S-30 JFTE61 ROHM SOD-523 | RB520S-30 JFTE61.pdf | |
![]() | CDC706PW | CDC706PW TIBB TSSOP | CDC706PW.pdf | |
![]() | MB8117800E-60PJ (NN) | MB8117800E-60PJ (NN) FUJITSU SMD or Through Hole | MB8117800E-60PJ (NN).pdf | |
![]() | TF2V565V0811M | TF2V565V0811M SAMWHA SMD or Through Hole | TF2V565V0811M.pdf | |
![]() | KIA7725P | KIA7725P KEC SMD or Through Hole | KIA7725P.pdf | |
![]() | SATCD895MBA0T01R00(895MHZ) | SATCD895MBA0T01R00(895MHZ) MURATA 3X3-8P | SATCD895MBA0T01R00(895MHZ).pdf | |
![]() | MB8844M-G-543M | MB8844M-G-543M FUJ DIP28 | MB8844M-G-543M.pdf |