창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3015LSD-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3015LSD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25.1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1415pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN3015LSD-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3015LSD-13 | |
| 관련 링크 | DMN3015, DMN3015LSD-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445I35H14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 32pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35H14M31818.pdf | |
![]() | CIH10TR18JNC | 180nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 1.3 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | CIH10TR18JNC.pdf | |
![]() | 4590-104K | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 2.815A 84 mOhm Max Axial | 4590-104K.pdf | |
![]() | CMF6084K500FKRE | RES 84.5K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6084K500FKRE.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 1DB N7 | RF Attenuator 1dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 1DB N7.pdf | |
![]() | IR3101 | IR3101 IR SMD or Through Hole | IR3101.pdf | |
![]() | LMV824MX DEL | LMV824MX DEL NSC SOP | LMV824MX DEL.pdf | |
![]() | S-1000N46-M5T1G | S-1000N46-M5T1G SEKIO SOT23-5 | S-1000N46-M5T1G.pdf | |
![]() | TS24H754 | TS24H754 TI QFP | TS24H754.pdf | |
![]() | SMBJ7R0A | SMBJ7R0A VISHAY SMD or Through Hole | SMBJ7R0A.pdf | |
![]() | AM26C32IDRE4 | AM26C32IDRE4 TI SOIC | AM26C32IDRE4.pdf | |
![]() | 0.1R-0.91R | 0.1R-0.91R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0.1R-0.91R.pdf |