Diodes Incorporated DMN3010LK3-13
- 제조업체 부품 번호
- DMN3010LK3-13
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 43A TO252
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
DMN3010LK3-13 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 231.73413
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 DMN3010LK3-13 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN3010LK3-13 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN3010LK3-13가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- DMN3010LK3-13 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
DMN3010LK3-13 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3010LK3-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3010LK3 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.1A(Ta), 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN3010LK3-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3010LK3-13 | |
| 관련 링크 | DMN3010, DMN3010LK3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
DMN3010LK3-13 의 관련 제품
 | 25USC10000MEFCSN25X25 | 10000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C | 25USC10000MEFCSN25X25.pdf | |
 | ESMM421VSN151MQ30S | 150µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2.21 Ohm 3000 Hrs @ 85°C | ESMM421VSN151MQ30S.pdf | |
 | 0402YC332KAT2A | 3300pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402YC332KAT2A.pdf | |
| IHSM5832RF180L | 18µH Unshielded Inductor 3.2A 83 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832RF180L.pdf | |
| CJT606R8JJ | RES CHAS MNT 6.8 OHM 5% 60W | CJT606R8JJ.pdf | |
| 2N3788 | 2N3788 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N3788.pdf | |
| C2012X7R1C105KT0Y0 | C2012X7R1C105KT0Y0 TDK SMD | C2012X7R1C105KT0Y0.pdf | |
| ADG529ATE/883 | ADG529ATE/883 AD CLCC | ADG529ATE/883.pdf | |
| 1N990C-1 | 1N990C-1 MICROSEMI SMD | 1N990C-1.pdf | |
| 601-3700-7 | 601-3700-7 MARATHON/KULKA SMD or Through Hole | 601-3700-7.pdf | |
| 54MHZ HC-49SMD | 54MHZ HC-49SMD CHINA HC-49SMD | 54MHZ HC-49SMD.pdf | |
| TLV2211Y | TLV2211Y TI SOT23-5 | TLV2211Y.pdf |