홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7
제조업체 부품 번호
DMN3010LFG-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMN3010LFG-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 189.77587
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMN3010LFG-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN3010LFG-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN3010LFG-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMN3010LFG-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN3010LFG-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN3010LFG-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN3010LFG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11A(Ta), 30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.5m옴 @ 18A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs37nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2075pF @ 15V
전력 - 최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지PowerDI3333-8
표준 포장 2,000
다른 이름DMN3010LFG-7DITR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN3010LFG-7
관련 링크DMN3010, DMN3010LFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN3010LFG-7 의 관련 제품
1500µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 133 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C ECO-S1KA152BA.pdf
150pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) K151M10X7RH53H5.pdf
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 SIS430DN-T1-GE3.pdf
RES SMD 820K OHM 0.25% 1/4W 1206 RT1206CRE07820KL.pdf
FFB3904-NL FAIRCHILD SC70-6 FFB3904-NL.pdf
RD3.6V ES NEC SMD or Through Hole RD3.6V ES.pdf
8302AMLFT IDT SMD or Through Hole 8302AMLFT.pdf
SAA7709H/N103S NXP SMD or Through Hole SAA7709H/N103S.pdf
C2012X7R2A102KT TDK SMD or Through Hole C2012X7R2A102KT.pdf
RTXM139-400-K ORIGINAL SMD or Through Hole RTXM139-400-K.pdf
LT1016CDR TIS Call LT1016CDR.pdf