창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2400UV-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2400UV | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.33A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 200mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.5nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 36pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 530mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2400UV-7DITR DMN2400UV7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2400UV-7 | |
관련 링크 | DMN240, DMN2400UV-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 403C35E30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35E30M00000.pdf | |
![]() | DMN7022LFG-13 | MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8 | DMN7022LFG-13.pdf | |
![]() | 1210R-563H | 56µH Unshielded Inductor 152mA 8 Ohm Max 2-SMD | 1210R-563H.pdf | |
![]() | A011-D-V-700 | A011-D-V-700 LDY SMD or Through Hole | A011-D-V-700.pdf | |
![]() | TC94A29F-200 | TC94A29F-200 TOSHIBA QFP | TC94A29F-200.pdf | |
![]() | SDI3225C-100KSA | SDI3225C-100KSA ORIGINAL SMD or Through Hole | SDI3225C-100KSA.pdf | |
![]() | RE3-16V102MH4-T2 | RE3-16V102MH4-T2 ELNAELECTRONICS SMD or Through Hole | RE3-16V102MH4-T2.pdf | |
![]() | 21046153 | 21046153 JDSU SMD or Through Hole | 21046153.pdf | |
![]() | H945QTZ-Q | H945QTZ-Q Renesas SMD or Through Hole | H945QTZ-Q.pdf | |
![]() | MCR01MZSJ273 | MCR01MZSJ273 ROHM SMD or Through Hole | MCR01MZSJ273.pdf | |
![]() | MIC2546-1BM | MIC2546-1BM MIC SMD | MIC2546-1BM.pdf |