창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2400UFD-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2400UFD | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 900mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 200mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 500nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 37pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-X1DFN1212 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN2400UFD-7DITR DMN2400UFD7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2400UFD-7 | |
| 관련 링크 | DMN2400, DMN2400UFD-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | PCF8594C-2T/02,118 | PCF8594C-2T/02,118 NXP SMD or Through Hole | PCF8594C-2T/02,118.pdf | |
![]() | ABMM2-24-B2T | ABMM2-24-B2T ORIGINAL SMD | ABMM2-24-B2T.pdf | |
![]() | WS2180 | WS2180 SEOUL ROHS | WS2180.pdf | |
![]() | LC4256V75T100-10I/LC4256V-75T100-10I | LC4256V75T100-10I/LC4256V-75T100-10I LATTICE TQFP100 | LC4256V75T100-10I/LC4256V-75T100-10I.pdf | |
![]() | F8 | F8 F SMD or Through Hole | F8.pdf | |
![]() | COM20020IDP-DK | COM20020IDP-DK DIP SMSC | COM20020IDP-DK.pdf | |
![]() | RHRP15120-NL | RHRP15120-NL FAI TO220 | RHRP15120-NL.pdf | |
![]() | ROS-1250W-119+ | ROS-1250W-119+ MINI SMD or Through Hole | ROS-1250W-119+.pdf | |
![]() | LQ121S1LG42 | LQ121S1LG42 SHARPLCD SMD or Through Hole | LQ121S1LG42.pdf | |
![]() | KC-D4A | KC-D4A LEACH SMD or Through Hole | KC-D4A.pdf | |
![]() | K8D1616UBA-YI09 | K8D1616UBA-YI09 SAMSUNG TSOP48 | K8D1616UBA-YI09.pdf |