창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN21D2UFB-7B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN21D2UFB | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 760mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 990m옴 @ 100mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 27.6pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 380mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 3-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | DMN21D2UFB-7BDITR DMN21D2UFB7B | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN21D2UFB-7B | |
관련 링크 | DMN21D2, DMN21D2UFB-7B 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D131JLCAR | 130pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131JLCAR.pdf | |
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![]() | AF1210JR-0712KL | RES SMD 12K OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-0712KL.pdf | |
![]() | 4322301002 | 4322301002 KOA 0 OHM | 4322301002.pdf | |
![]() | TCST1030L | TCST1030L MC SMD or Through Hole | TCST1030L.pdf | |
![]() | 598AG | 598AG N/A SSOP | 598AG.pdf | |
![]() | OMF250 | OMF250 SCHURTER SMD | OMF250.pdf | |
![]() | 35R60193CA | 35R60193CA ORIGINAL SMD | 35R60193CA.pdf | |
![]() | APT50M50JVFR | APT50M50JVFR APT SMD or Through Hole | APT50M50JVFR.pdf | |
![]() | MSS1278-563MLD | MSS1278-563MLD Coilcraft SMD | MSS1278-563MLD.pdf | |
![]() | MD28F256-120/8 | MD28F256-120/8 INTEL DIP | MD28F256-120/8.pdf |