창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2050L-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2050L | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.9A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 532pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2050L7 DMN2050LDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2050L-7 | |
관련 링크 | DMN205, DMN2050L-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
550L104KCAT | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 550L104KCAT.pdf | ||
VLF252015MT-150M | 15µH Shielded Wirewound Inductor 770mA 450 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252015MT-150M.pdf | ||
CRCW121040R2FKEA | RES SMD 40.2 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121040R2FKEA.pdf | ||
CRCW0603150KFKEB | RES SMD 150K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603150KFKEB.pdf | ||
HM62A2017CP-20 | HM62A2017CP-20 HIT PLCC | HM62A2017CP-20.pdf | ||
Q644F,Q645 | Q644F,Q645 ORIGINAL SMD or Through Hole | Q644F,Q645.pdf | ||
1021AM | 1021AM PHI TSSOP | 1021AM.pdf | ||
15NF-1206-X7R-50V-10%-CL31B153KBCNNNC | 15NF-1206-X7R-50V-10%-CL31B153KBCNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | 15NF-1206-X7R-50V-10%-CL31B153KBCNNNC.pdf | ||
F731816-P | F731816-P TI SMD or Through Hole | F731816-P.pdf | ||
IGT6D21 | IGT6D21 GEN TO-3 | IGT6D21.pdf | ||
SL490BDP | SL490BDP GPS DIP | SL490BDP.pdf | ||
TQC-254A-6RS 32MHZ | TQC-254A-6RS 32MHZ EPSONTOYOCOM SMD or Through Hole | TQC-254A-6RS 32MHZ.pdf |