창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2028USS-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2028USS | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 9.4A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | DMN2028USS-13DITR DMN2028USS13 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2028USS-13 | |
관련 링크 | DMN2028, DMN2028USS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 402F32022IKT | 32MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F32022IKT.pdf | |
![]() | BZT55C4V7-GS18 | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD80 | BZT55C4V7-GS18.pdf | |
![]() | RC56DDP-RAM | RC56DDP-RAM CONEXANT QFP | RC56DDP-RAM.pdf | |
![]() | C1005X5R0J225MT | C1005X5R0J225MT TDK SMD | C1005X5R0J225MT.pdf | |
![]() | SG-531P4.0000MCS | SG-531P4.0000MCS EPSON SMD or Through Hole | SG-531P4.0000MCS.pdf | |
![]() | 88HF60 | 88HF60 IR SMD or Through Hole | 88HF60.pdf | |
![]() | SX-5032 20MHZ | SX-5032 20MHZ SIWARD SMD | SX-5032 20MHZ.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ150CA-T1 | 1.5SMCJ150CA-T1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.5SMCJ150CA-T1.pdf | |
![]() | RGLD6X472J | RGLD6X472J MURATA SMD or Through Hole | RGLD6X472J.pdf | |
![]() | UPD42456V-10 | UPD42456V-10 NEC ZIP-20 | UPD42456V-10.pdf | |
![]() | N82S153AN | N82S153AN SIG DIP | N82S153AN.pdf | |
![]() | NG88AGM 5412A232 | NG88AGM 5412A232 INTEL BGA | NG88AGM 5412A232.pdf |