창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2022UNS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2022UNS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1870pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN2022UNS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2022UNS-13 | |
| 관련 링크 | DMN2022, DMN2022UNS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | HM78-50561LFTR | 560µH Shielded Inductor 540mA 860 mOhm Max Nonstandard | HM78-50561LFTR.pdf | |
![]() | IX2A11S | IX2A11S IXYS SOP-8 | IX2A11S.pdf | |
![]() | BCN168RB302J7 | BCN168RB302J7 ORIGINAL SMD or Through Hole | BCN168RB302J7.pdf | |
![]() | M2732AF1-21V | M2732AF1-21V ST CDIP | M2732AF1-21V.pdf | |
![]() | MIC5201-3.3BM TR | MIC5201-3.3BM TR MICREL SOIC | MIC5201-3.3BM TR.pdf | |
![]() | RECEV-R4182 | RECEV-R4182 RECEV DIP-18 | RECEV-R4182.pdf | |
![]() | SN54100J | SN54100J TI CDIP24 | SN54100J.pdf | |
![]() | IT3205CE-TX5080 | IT3205CE-TX5080 ORIGINAL SMD or Through Hole | IT3205CE-TX5080.pdf | |
![]() | TMDSEXPL138 | TMDSEXPL138 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMDSEXPL138.pdf | |
![]() | PO820A | PO820A ORIGINAL TSSOP | PO820A.pdf |