창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2009LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2009LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2555pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2009LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN2009, DMN2009LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CBR04C708B1GAC | 0.70pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C708B1GAC.pdf | |
![]() | RG2012N-3832-W-T5 | RES SMD 38.3KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-3832-W-T5.pdf | |
![]() | PF2472-0R82F1 | RES 0.82 OHM 100W 1% TO247 | PF2472-0R82F1.pdf | |
![]() | TD8752BH* | TD8752BH* INTEL DIP | TD8752BH*.pdf | |
![]() | AIT102M | AIT102M AIT QFN | AIT102M.pdf | |
![]() | CDZT2R 4.7B | CDZT2R 4.7B ROHM/ON/LRC SMD | CDZT2R 4.7B.pdf | |
![]() | M160B682A | M160B682A EPSON SOP-24 | M160B682A.pdf | |
![]() | ADM811SART 04+ | ADM811SART 04+ ADI TO-23 | ADM811SART 04+.pdf | |
![]() | ispLSI1032E-60LJI | ispLSI1032E-60LJI LATTICS PLCC | ispLSI1032E-60LJI.pdf | |
![]() | LT1192BCS8 | LT1192BCS8 Linear SOP8 | LT1192BCS8.pdf | |
![]() | RP1-DC3V | RP1-DC3V NAIS SMD or Through Hole | RP1-DC3V.pdf | |
![]() | MVK10VC221M8X10TP | MVK10VC221M8X10TP NIPPON NCC | MVK10VC221M8X10TP.pdf |