창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN2004VK-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN2004VK | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 540mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 540mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN2004VK7 DMN2004VKDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN2004VK-7 | |
관련 링크 | DMN200, DMN2004VK-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RNCP0805FTD301R | RES SMD 301 OHM 1% 1/4W 0805 | RNCP0805FTD301R.pdf | |
![]() | MCR004YZPF1300 | RES SMD 130 OHM 1% 1/32W 01005 | MCR004YZPF1300.pdf | |
![]() | RL2512JK-070R01L | RES SMD 0.01 OHM 5% 1W 2512 | RL2512JK-070R01L.pdf | |
![]() | RN73C1J165RBTG | RES SMD 165 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J165RBTG.pdf | |
![]() | PLTT0805Z3400QGT5 | RES SMD 340 OHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z3400QGT5.pdf | |
![]() | 21-37418-02 | 21-37418-02 LSI QFP | 21-37418-02.pdf | |
![]() | 3705-001187 | 3705-001187 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3705-001187.pdf | |
![]() | 450LSQ470M36X83 | 450LSQ470M36X83 RUBYCON DIP | 450LSQ470M36X83.pdf | |
![]() | P87C381AER/02 | P87C381AER/02 ORIGINAL DIP | P87C381AER/02.pdf | |
![]() | MAP3530DCUS | MAP3530DCUS TI SMD or Through Hole | MAP3530DCUS.pdf | |
![]() | GS8308-16C | GS8308-16C GS DIP | GS8308-16C.pdf |