창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN2004K-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN2004K | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 630mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 550m옴 @ 540mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 150pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN2004K7 DMN2004KDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN2004K-7 | |
| 관련 링크 | DMN200, DMN2004K-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | CRA06S04322R0JTA | RES ARRAY 2 RES 22 OHM 0606 | CRA06S04322R0JTA.pdf | |
![]() | 1096410-2 | 1096410-2 DYNEX MODULE | 1096410-2.pdf | |
![]() | CXD2099R-T6 | CXD2099R-T6 SONY SMD or Through Hole | CXD2099R-T6.pdf | |
![]() | PF030-02113-C10 | PF030-02113-C10 UJU PCS | PF030-02113-C10.pdf | |
![]() | LM386NB | LM386NB UTC SOP-8 | LM386NB.pdf | |
![]() | 1812J5000103GCT | 1812J5000103GCT SYFER NA | 1812J5000103GCT.pdf | |
![]() | 2042A3C-40 | 2042A3C-40 ORIGINAL SOP | 2042A3C-40.pdf | |
![]() | LM3661TLX | LM3661TLX NS BGA | LM3661TLX.pdf | |
![]() | PL-011B-3*1W | PL-011B-3*1W ORIGINAL SMD or Through Hole | PL-011B-3*1W.pdf | |
![]() | TC160G70AF-0056 | TC160G70AF-0056 ORIGINAL QFP | TC160G70AF-0056.pdf | |
![]() | SMZ25B2 | SMZ25B2 EIC SOD-123FL | SMZ25B2.pdf | |
![]() | BYV72_200 | BYV72_200 PHILIPS TO 3P | BYV72_200.pdf |