창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN10H220LVT-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN10H220LVT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.87A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 401pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.67W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | TSOT-26 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN10H220LVT-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN10H220LVT-7 | |
관련 링크 | DMN10H22, DMN10H220LVT-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
HM76-40150JLFTR13 | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 5.3A 30 mOhm Max Nonstandard | HM76-40150JLFTR13.pdf | ||
CD104-6.8UH | CD104-6.8UH LY SMD | CD104-6.8UH.pdf | ||
PCT1/20AK | PCT1/20AK NEM CAP | PCT1/20AK.pdf | ||
ST1S09APUR | ST1S09APUR STM DFN6D(3x3mm) | ST1S09APUR.pdf | ||
FPQ-44-0.8-06T | FPQ-44-0.8-06T ENPLAS SMD or Through Hole | FPQ-44-0.8-06T.pdf | ||
M37760M8H-8A2GP | M37760M8H-8A2GP MITSUBISHI QFP | M37760M8H-8A2GP.pdf | ||
AU6372C51-JQL-GR | AU6372C51-JQL-GR ORIGINAL QFP | AU6372C51-JQL-GR.pdf | ||
SB1045221KL | SB1045221KL ABC SMD or Through Hole | SB1045221KL.pdf | ||
40-10083-07 | 40-10083-07 DEREN SMD or Through Hole | 40-10083-07.pdf | ||
CX20023-VL | CX20023-VL SONY SOP | CX20023-VL.pdf | ||
TPS54226 | TPS54226 TI/BB TSSOP14 | TPS54226.pdf |