창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN10H220LE-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN10H220LE | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 401pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN10H220LE-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN10H220LE-13 | |
| 관련 링크 | DMN10H22, DMN10H220LE-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| .jpg) | CRCW060361K9FHEAP | RES SMD 61.9K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060361K9FHEAP.pdf | |
|  | CMF55162R00FKR6 | RES 162 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55162R00FKR6.pdf | |
|  | HP-1KC4-0001 | HP-1KC4-0001 ORIGINAL CDIP | HP-1KC4-0001.pdf | |
|  | MN662740RE | MN662740RE N/A QFP | MN662740RE.pdf | |
|  | MAX1247BEEE+T | MAX1247BEEE+T MAXIM SOP | MAX1247BEEE+T.pdf | |
|  | TRS3221CPWG4 | TRS3221CPWG4 TI TSSOP16 | TRS3221CPWG4.pdf | |
|  | HCT154M | HCT154M TI SOP-24 | HCT154M.pdf | |
|  | 1SD536F2-FZ2400R12KE3 | 1SD536F2-FZ2400R12KE3 CONCEPT SMD or Through Hole | 1SD536F2-FZ2400R12KE3.pdf | |
|  | 2SB1412L-R TO-252 T/R | 2SB1412L-R TO-252 T/R UTC TO252TR | 2SB1412L-R TO-252 T/R.pdf | |
|  | AME8331AEEV180Y | AME8331AEEV180Y AME TSOT-25 | AME8331AEEV180Y.pdf | |
|  | 4AB | 4AB MICROCHIP TSSOP8 | 4AB.pdf | |
|  | MA6X122 | MA6X122 PANASONIC SOT-363 | MA6X122.pdf |