홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMN10H170SFG-7

Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7
제조업체 부품 번호
DMN10H170SFG-7
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMN10H170SFG-7 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 185.32800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMN10H170SFG-7 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMN10H170SFG-7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMN10H170SFG-7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMN10H170SFG-7 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMN10H170SFG-7 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMN10H170SFG-7
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMN10H170SFG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.9A(Ta), 8.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs122m옴 @ 3.3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs14.9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds870.7pF @ 25V
전력 - 최대940mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력WDFN
공급 장치 패키지PowerDI3333-8
표준 포장 2,000
다른 이름DMN10H170SFG-7DITR
DMN10H170SFG-7TR
DMN10H170SFG-7TR-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMN10H170SFG-7
관련 링크DMN10H17, DMN10H170SFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMN10H170SFG-7 의 관련 제품
3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) LD051A3R0DAB4A.pdf
DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD123 MMSZ5223B-7.pdf
RES SMD 100 OHM 5% 1W 2512 AC2512JK-07100RL.pdf
CMPT5089TR CENTRAL SOT-23 CMPT5089TR.pdf
KA-1114/2GC/CC-L5 kingbright PB-FREE KA-1114/2GC/CC-L5.pdf
MPF209 MOT CAN MPF209.pdf
RMC1/2K562FTE MURATA SMD or Through Hole RMC1/2K562FTE.pdf
STD1164Y ORIGINAL SMD or Through Hole STD1164Y.pdf
EL2190J/B883B ELANTEC CDIP14 EL2190J/B883B.pdf
52610-2072 MOLEX SMD 52610-2072.pdf
UPB372D-B NEC DIP-16 UPB372D-B.pdf
LFX130P NULL NULL LFX130P.pdf