창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN10H120SFG-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN10H120SFG | |
주요제품 | DMN10H120SFG 100 V MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 549pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerDI3333-8 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | DMN10H120SFG-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN10H120SFG-7 | |
관련 링크 | DMN10H12, DMN10H120SFG-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | GRM0336R1E5R3DD01D | 5.3pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E5R3DD01D.pdf | |
![]() | MLG1005S75NHT000 | 75nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 1.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S75NHT000.pdf | |
![]() | RHC2512FT1R33 | RES SMD 1.33 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT1R33.pdf | |
![]() | SIM6P | SIM6P ORIGINAL SMD or Through Hole | SIM6P.pdf | |
![]() | AM26LS31ANSR | AM26LS31ANSR TI SOP-52 | AM26LS31ANSR.pdf | |
![]() | 1812LS-473XGLC | 1812LS-473XGLC COILCRAFT SMD or Through Hole | 1812LS-473XGLC.pdf | |
![]() | CBS3504848-T | CBS3504848-T COSEL SMD or Through Hole | CBS3504848-T.pdf | |
![]() | 2SB1114-ZK | 2SB1114-ZK NEC SOT-89 | 2SB1114-ZK.pdf | |
![]() | p6smb33cat-r7 | p6smb33cat-r7 panjit SMD or Through Hole | p6smb33cat-r7.pdf | |
![]() | MHF-28512T/883 | MHF-28512T/883 ORIGINAL SMD or Through Hole | MHF-28512T/883.pdf | |
![]() | EP810LC-20 | EP810LC-20 ALTERA PLCC | EP810LC-20.pdf | |
![]() | MR15 | MR15 MR DIP | MR15.pdf |