창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN1029UFDB-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN1029UFDB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.6nC(8V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 914pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMN1029UFDB-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN1029UFDB-7 | |
| 관련 링크 | DMN1029, DMN1029UFDB-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT9002AI-13N25DB | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA | SIT9002AI-13N25DB.pdf | |
![]() | IXKP13N60C5M | MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP | IXKP13N60C5M.pdf | |
![]() | RC2010FK-0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 3/4W 2010 | RC2010FK-0722R1L.pdf | |
![]() | AT24C08BN-SH-B | AT24C08BN-SH-B AT 3.9mm | AT24C08BN-SH-B.pdf | |
![]() | SRS-4805 | SRS-4805 MW SMD or Through Hole | SRS-4805.pdf | |
![]() | LM2678S-3.3/NOPB | LM2678S-3.3/NOPB NS SO | LM2678S-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | 450V6800UF 75X155 | 450V6800UF 75X155 ORIGINAL SMD or Through Hole | 450V6800UF 75X155.pdf | |
![]() | 6LB182D | 6LB182D TI SOP-8 | 6LB182D.pdf | |
![]() | TSM802CQ RVG | TSM802CQ RVG TSM QFN8 | TSM802CQ RVG.pdf | |
![]() | PCA82C250/N2 | PCA82C250/N2 NXP SMD or Through Hole | PCA82C250/N2.pdf | |
![]() | MG-7011SAD | MG-7011SAD EPSON SOP | MG-7011SAD.pdf |