창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMN1019UFDE-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMN1019UFDE | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 9.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 800mV @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50.6nC(8V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2425pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 690mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | U-DFN2020-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMN1019UFDE-7DITR DMN1019UFDE7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMN1019UFDE-7 | |
관련 링크 | DMN1019, DMN1019UFDE-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RMCP2010FT3R48 | RES SMD 3.48 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT3R48.pdf | |
![]() | 671T457103410 | 671T457103410 ORIGINAL SMD or Through Hole | 671T457103410.pdf | |
![]() | TA7769PG | TA7769PG TOSHIBA DIP | TA7769PG.pdf | |
![]() | AM2904DMB | AM2904DMB AMD CDIP | AM2904DMB.pdf | |
![]() | ST27T55BG2M3 | ST27T55BG2M3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST27T55BG2M3.pdf | |
![]() | FN1393-2.5-05-11 | FN1393-2.5-05-11 SCHAFFNER SMD or Through Hole | FN1393-2.5-05-11.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ80CA | 1.5SMCJ80CA ORIGINAL SMD | 1.5SMCJ80CA.pdf | |
![]() | 9342DCQC | 9342DCQC FAIRCHIL CDIP | 9342DCQC.pdf | |
![]() | G6H-2-100-5V/DC5V | G6H-2-100-5V/DC5V OMRON SMD or Through Hole | G6H-2-100-5V/DC5V.pdf | |
![]() | PPF | PPF ST SOP-8 | PPF.pdf | |
![]() | TLV27L2IDG4 | TLV27L2IDG4 TI SOP-8 | TLV27L2IDG4.pdf |