창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMMT3906W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMMT3906W | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) 결합 쌍 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | DMMT3906WDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMMT3906W-7 | |
| 관련 링크 | DMMT39, DMMT3906W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C2A5R3DZ01D | 5.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A5R3DZ01D.pdf | |
![]() | G5V-1-GP-DC5V | G5V-1-GP-DC5V OMRON RELAY | G5V-1-GP-DC5V.pdf | |
![]() | NCP551SN27T1G. | NCP551SN27T1G. ON SOT23-5 | NCP551SN27T1G..pdf | |
![]() | S6B0107B01-C0CX-2BXRZB | S6B0107B01-C0CX-2BXRZB SAMSUNG SMD or Through Hole | S6B0107B01-C0CX-2BXRZB.pdf | |
![]() | SM15B-SURS-TF(LF)(SN) | SM15B-SURS-TF(LF)(SN) JST Connector | SM15B-SURS-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | RA863C02W | RA863C02W D SOP | RA863C02W.pdf | |
![]() | PST596HNR | PST596HNR MITSUMI SOT-5 | PST596HNR.pdf | |
![]() | CEE4K316BJ105MF-T | CEE4K316BJ105MF-T ORIGINAL SMD or Through Hole | CEE4K316BJ105MF-T.pdf | |
![]() | K7N403609B | K7N403609B ORIGINAL SMD or Through Hole | K7N403609B.pdf | |
![]() | TNY180PG | TNY180PG POWER DIP-7 | TNY180PG.pdf | |
![]() | 9950DY | 9950DY SI SOP-16 | 9950DY.pdf | |
![]() | 74VHC595N | 74VHC595N ORIGINAL DIP | 74VHC595N.pdf |