창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-DMMT3906W-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | DMMT3906W | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 Copper bond wire 23/Feb/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Revision 23/Feb/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) 결합 쌍 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 40V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V | |
전력 - 최대 | 200mW | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | DMMT3906W-FDITR DMMT3906W7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | DMMT3906W-7-F | |
관련 링크 | DMMT390, DMMT3906W-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | RL0805FR-7W0R018L | RES SMD 0.018 OHM 1% 1/4W 0805 | RL0805FR-7W0R018L.pdf | |
![]() | HM2W8512ALFP-8 | HM2W8512ALFP-8 HIT SOP | HM2W8512ALFP-8.pdf | |
![]() | IS-80C52WIH-16 | IS-80C52WIH-16 TEMIC PLCC | IS-80C52WIH-16.pdf | |
![]() | KS82C50A-8CP | KS82C50A-8CP SAMSUNG DIP | KS82C50A-8CP.pdf | |
![]() | SFB-4854 | SFB-4854 TDK SIP6 | SFB-4854.pdf | |
![]() | LC51024MV75FN484 | LC51024MV75FN484 LATTICE SMD or Through Hole | LC51024MV75FN484.pdf | |
![]() | 0805-510KΩ±1% | 0805-510KΩ±1% YAGEO SMD or Through Hole | 0805-510KΩ±1%.pdf | |
![]() | TCJY157M006R0050 | TCJY157M006R0050 AVX SMD | TCJY157M006R0050.pdf | |
![]() | MB87518CR-G-11 | MB87518CR-G-11 FUJITSU PGA | MB87518CR-G-11.pdf | |
![]() | P210 | P210 ORIGINAL SMD or Through Hole | P210.pdf | |
![]() | PBL38630/1 R1 | PBL38630/1 R1 ERICSSON SMD or Through Hole | PBL38630/1 R1.pdf | |
![]() | D5838N | D5838N ON SOP8 | D5838N.pdf |