홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » DMG9N65CT

Diodes Incorporated DMG9N65CT

DMG9N65CT
제조업체 부품 번호
DMG9N65CT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
DMG9N65CT 가격 및 조달

가능 수량

8696 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 596.75600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 DMG9N65CT 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. DMG9N65CT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. DMG9N65CT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
DMG9N65CT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
DMG9N65CT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG9N65CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG9N65CT
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.3옴 @ 4.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs39nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2310pF @ 25V
전력 - 최대165W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름DMG9N65CTDI
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMG9N65CT
관련 링크DMG9N, DMG9N65CT 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
DMG9N65CT 의 관련 제품
100µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C UKL1C101KPDANA.pdf
RES SMD 5.1K OHM 1% 1/2W 1210 AF1210FR-075K1L.pdf
CF1/4LT52R472J KOA SMD or Through Hole CF1/4LT52R472J.pdf
H845106656 N/A PLCC H845106656.pdf
NL17SZ02DFT2 ON SMD or Through Hole NL17SZ02DFT2.pdf
CDPM3D10 sumida SMD or Through Hole CDPM3D10.pdf
5Y80M-3W SY SMD or Through Hole 5Y80M-3W.pdf
Z8S18033VSC(MPU ZILOG PLCC Z8S18033VSC(MPU.pdf
BZX84-B15，215 NXP SMD or Through Hole BZX84-B15，215.pdf
PEF2095NVA5 SIEMENS PLCC28 PEF2095NVA5.pdf
SS-23F26 DSL SMD or Through Hole SS-23F26.pdf
UF803F，UF804F，UF806F，UF1000 PANJIT SMD or Through Hole UF803F，UF804F，UF806F，UF1000.pdf