창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMG9640N0R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMG9640N View All Specifications | |
| 주요제품 | Wearables Technology Components | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 125mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | SSMini6-F3-B | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | DMG9640N0R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMG9640N0R | |
| 관련 링크 | DMG964, DMG9640N0R 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | Y0789102R500T0L | RES 102.5 OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y0789102R500T0L.pdf | |
![]() | 1595/BCAJC | 1595/BCAJC MOT CDIP | 1595/BCAJC.pdf | |
![]() | 82S126/BEA | 82S126/BEA S CDIP16 | 82S126/BEA.pdf | |
![]() | FPTJ/228 | FPTJ/228 TAIWAN 4PIN | FPTJ/228.pdf | |
![]() | 10UF6.3V20%(T+R) | 10UF6.3V20%(T+R) VHY A | 10UF6.3V20%(T+R).pdf | |
![]() | HDAC97000SIDI | HDAC97000SIDI SPT DIP | HDAC97000SIDI.pdf | |
![]() | BAT42W D4 | BAT42W D4 VISHAY SOD123 | BAT42W D4.pdf | |
![]() | REF5045 | REF5045 TEXAS SOP8 | REF5045.pdf | |
![]() | P086A08 | P086A08 cyto SMD or Through Hole | P086A08.pdf | |
![]() | EAJ-630VSN822MR60S | EAJ-630VSN822MR60S NIPPON DIP | EAJ-630VSN822MR60S.pdf | |
![]() | CDRH105R-120NC | CDRH105R-120NC SUMIDA SMD | CDRH105R-120NC.pdf |