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Diodes Incorporated DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13
제조업체 부품 번호
DMG8822UTS-13
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
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DMG8822UTS-13 매개 변수
내부 부품 번호EIS-DMG8822UTS-13
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서DMG8822UTS
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Cert of Compliance
PCN 설계/사양Bond Wire 11/Nov/2011
카탈로그 페이지 1572 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 공통 드레인
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.9A
Rds On(최대) @ Id, Vgs25m옴 @ 8.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)900mV @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9.6nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds841pF @ 10V
전력 - 최대870mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭)
공급 장치 패키지8-TSSOP
표준 포장 2,500
다른 이름DMG8822UTS-13DITR
DMG8822UTS13
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)DMG8822UTS-13
관련 링크DMG8822, DMG8822UTS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
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